MOSFET经常用于不同类型电机的电机驱动器，本文将为您介绍多款由安森美半导体（ON Semiconductor）所推出的MOSFET的功能特性。

不同电机规格搭配不同的功率MOSFET

通过使用MOSFET这类的功率开关组件，对MOSFET进行导通或关断，可调节电机绕组所加电压，以实现电机转速或转轴位置的控制，可用于直流有刷电机、直流无刷电机、步进电机、开关磁阻电机，以及交流感应电机的驱动控制。

即使电机的类型不同，驱动电路的功能都是向电机绕组提供可控的电压和电流。电压和电流值会根据所用电机的类型和尺寸而有所变化，因此在选择MOSFET之时，必须先确认驱动电机所需的功率，才能选择合适的功率开关组件。由于不同电机类型的电压和电流额定值不同，因此应根据应用和设计目标的要求，选择具有特定额定值的驱动器件。

多种规格满足不同电机应用需求

安森美半导体拥有多样规格的MOSFET功率器件，针对电机驱动应用，这些MOSFET都具有低RDS(on)以最小化导通损耗，低QG和低输入电容，可最小化开关损耗，最大程度减少驱动器损失，这些器件均是无铅、无卤素／无溴化阻燃剂，且符合RoHS要求等特性，以下将为您介绍几款常用的MOSFET供您选择。

NTMFS5C404N是一款单N沟道的功率MOSFET，支持40V、378A、0.7mΩ，具有面积小（5x6毫米）的紧凑设计，最高结温为175℃，可为具备热挑战应用，提供更大的设计余量。

20

NTMFS5C404NL则是一款单N沟道的功率MOSFET，支持40V、370 A、0.67 mΩ，具有5x6毫米的小面积紧凑设计。NTMFS5C404NL与NTMFS5C404N都可应用于负载点模块、高性能DC-DC转换器、次级同步整流、直流电机驱动，终端产品则为网通、电信设备、服务器与手持式电动工具等。

NTMFS5C604N则是一款60V、280A、1.2mΩ、单N沟道，采用SO8-FL封装的功率MOSFET，适用于紧凑和高效设计的商业应用，安装在5x6mm扁平引线封装中，且具有较高的热性能。NTMFS5C604N采用小面积的5x6毫米紧凑设计，可应用于电机控制、电源开关（高侧驱动器、低侧驱动器、H-Bridge等）、同步整流器，终端产品则为开关电源、电动工具、太阳能逆变器、电池管理等。

NTBLS0D7N06C则是一款单路、N通道，采用TOLL封装，支持60 V，0.75 mΩ、470 A的功率MOSFET，可降低开关噪声／EMI。典型应用为电池负载开关、电机驱动，终端产品为用电池操作的电动工具、电池供电的真空吸尘器，无人航空载具（UAV）／无人机、物料搬运、电池管理系统（BMS）／存储、家庭自动化等。

Power Trench工艺结合屏蔽闸极技术 (T6 MOSFETs)

安森美半导体还拥有一系列采用Power Trench工艺生产的MOSFET功率器件，该工艺结合了屏蔽闸极沟槽技术，此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能，以及具备业内最佳的软体二极管，这些MOSFET的RDS(on)更低，效能更佳。

NTMTS0D4N04C是一款单N沟道、40V、558A、0.45mΩ，采用Power Trench工艺生产的薄型PQFN 8x8封装的功率MOSFET，具有8x8毫米的小面积紧凑设计，拥有高峰值电流和低寄生电感，最高结温为175℃，可为热挑战应用提供更大的设计余量，采用业界标准的Power 88封装。NTMTS0D4N04C可应用于电机控制、DC-DC转换器、电池管理／保护、动力转向／负荷开关，终端产品包括电动工具、电动踏板车、无人机、电池管理／保护、网通、电信设备与电源供应器等。

NTMTS0D4N04CL同样是一款单N沟道功率MOSFET 40V，支持553.8A、0.4mΩ，采用PQFN 8x8封装，它与NTMTS0D4N04C都采用了Power Trench工艺生产，因此具有相同的特性，可保持出色的开关性能。NTMTS0D4N04CL的占用面积小，为8x8毫米的紧凑设计。典型应用包括电动工具、电池供电的真空吸尘器、UAV／无人机、物料搬运、BMS／存储、家庭自动化等。

NTMTS0D7N06C是一款单N沟道的功率MOSFET，支持60V、464 A、0.72mΩ，采用PQFN 8x8封装，这款N沟道T6 60V中压MOSFET是使用安森美半导体的先进Power Trench工艺生产，采用薄型PQFN 8x8封装的紧凑设计，具备高峰值电流和低寄生电感，可为热挑战应用提供更大的设计余量，最高结温为175℃。

NTMTS0D7N06CL则是单N沟道，60V、477A、0.68mΩ，采用薄型PQFN 8x8封装的功率MOSFET，此N沟道T6 60V MV MOSFET也是使用安森美半导体先进的Power Trench工艺生产的，拥有与NTMTS0D7N06C相似的特性。NTMTS0D7N06CL占用面积小（8x8毫米），设计相当紧凑，最高结温为175℃，具备高峰值电流和低寄生电感，可为热挑战应用提供更大的设计余量，采用业界标准的Power 88封装。

NTMTS0D7N06C与NTMTS0D7N06CL的典型应用包括电机控制、DC-DC转换器、电池管理／保护、动力转向／负荷开关，终端产品包括电动工具、电池供电的真空吸尘器、电动踏板车、UAV／无人机、物料搬运、BMS／存储、电池组／储能单元、电信、网通设备、电源供应器、家庭自动化等。

21

结语

在各种工业、家用电子产品中，电机都在其中扮演着重要的角色，而MOSFET则是电机控制的最佳伙伴。安森美半导体多样化的MOSFET产品线，可以满足各种不同电机规格与应用的需求，并提供优异的性能，是各种电机与电源相关应用的最佳选择之一。