新型隔离栅极驱动器满足严苛的电源需求

新型隔离栅极驱动器满足严苛的电源需求

 

在汽车、工业应用中,面临着高温、震动、噪声等严苛的环境条件,需要强健的栅极驱动器才能克服严苛应用环境所带来的挑战。本文将为您介绍芯科科技(Silicon Labs)的隔离栅极驱动器,以了解其将如何满足汽车与工业应用的电源需求。

 

新型隔离栅极驱动器支持新材料技术

汽车、工业和可再生能源市场的电源转换器设计人员正在通过新兴的能效标准和新的技术选择来管理动态环境,同时满足对安全和电源的持续需求,例如采用碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)和快速Si FET等新兴技术,因此必须搭配新型的隔离栅极驱动器,来满足电源工程师所需的规格要求。

 

在汽车与工业应用环境中,面对的电源要求更为严苛,考验着栅极驱动器的强健程度,除了要提供高性能之外,还必须具有宽广的输入电压范围、更低的延迟、更高的抗扰性和快速开关能力。

 

优异的产品特性满足能效标准及尺寸要求

芯科科技所推出的隔离栅极驱动器产品,可提供超快的传输延迟,具有更好的时序余量、绝对可靠的工作温度和时间,以及无以伦比的尺寸和成本效益。支持1、2.5、3.75和5.0 kV的隔离额定值。驱动器间耐受电压为±1500 VDC,而且驱动器可以连接到相同或独立的地线进行接地,或者连接到浮动电压。芯科科技的隔离栅极驱动器技术可用于多种电源应用,包括数据中心电源、太阳能微型逆变器、汽车市场的牵引式逆变器和工业电源。

 

 

芯科科技日前推出了新型Si823Hx/825xx隔离栅极驱动器,新产品结合了更快更安全的开关、低延迟和高噪声抑制等能力,可更靠近功率晶体管放置,实现紧凑的印制电路板(PCB)设计。这些栅极驱动器所取得的新进展可以帮助电源转换器设计人员满足甚至超越日益提高的能效标准及尺寸要求,同时支持使用SiC、GaN和快速Si FET等新兴技术。

 

提供出色的性能和强大的隔离等级

Si823Hx/Si825xx隔离栅极驱动器系列产品为强健的栅极驱动器,适用于基于硅、氮化镓或碳化硅的SMPS或逆变器等电源转换器系统。该系列拥有支持高达20 V的高电压输入(逻辑端)VDD电源引脚等升级功能。其具有强键的30 V驱动器VDD能力、实现更紧密的低延迟回路控制、125 kV/µs的高共模瞬变抗扰度(Common Mode Transient Immunity, CMTI),支持输出引脚-5 V耐受电压和过温保护。这些产品还具有驱动电流放大,可在密勒平稳区域提供更高的电流驱动能力,以实现更快的接通时间。

 

Si823Hx/Si825xx隔离栅极驱动器基于芯科科技专有的CMOS电容隔离技术,可提供出色的性能和强大的隔离等级,从而能够驱动最先进的GaN或SiC FET,从而最大程度地提高系统效率,同时通过低电压锁定(Under voltage Lockout, UVLO)保护和死区时间可编程性等功能确保安全性。

 

紧凑封装减小系统尺寸与降低成本

Si823Hx/825xx系列产品的差异化特性经过了专门配置,可满足在充满挑战的电源环境中工作的设计人员需求。芯科科技系列产品提供了独特的升压器件,可提供更高的拉电流,实现更快的FET导通速度。对称的4A灌/拉电流能力意味着拉电流几乎是前代驱动器的两倍,这有助于减少开关损耗。新的隔离栅极驱动器将延迟减少了一半,最大传播延迟为30ns,从而减少了反馈环路延迟,可获得更高的系统效率。这些驱动器还改进了瞬态噪声抑制能力,进而确保可在固有噪声环境中可靠运行。输入电压范围(VDDIH)也得到了扩展,从4.5V至20V,支持与典型模拟控制器的电源轨直接接口。

 

由于空间限制至关重要,因此Si823Hx/Si825xx具有多种封装选项。这些紧凑型驱动器采用了8引脚封装,而不是类似的16引脚封装,从而减小了系统尺寸并降低了成本。其他新升级的功能包括过热保护,当温度过高时,会触发驱动器自动关闭。附加的安全功能包括停滞时间、重叠保护和输入噪声毛刺消除,从而最大程度提高安全性。

 

结语

随着电源新兴技术的推出,也必须搭配新型的栅极驱动器才能发挥最大的效能,芯科科技所推出的隔离栅极驱动器拥有优异的产品特性,能够满足严苛的汽车、工业应用的需求,将是开发新型电源产品的最佳选择。

 

特色产品

SI823H6BB-IS1 IGBT and MOSFET